N-Kanal-Transistor IRFU120N, TO251AA, IPAK
Menge
Stückpreis
1-4
2.61€
5-9
1.63€
10-19
1.49€
20-49
1.40€
50+
1.33€
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N-Kanal-Transistor IRFU120N, TO251AA, IPAK. Gehäuse: TO251AA, IPAK. Aufladung: 16.7nC. Drain-Source-Spannung: 100V. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.2K/W. Leistung: 39W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 9.1A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:39
IRFU120N
13 Parameter
Gehäuse
TO251AA, IPAK
Aufladung
16.7nC
Drain-Source-Spannung
100V
Gate-Source-Spannung
20V, ±20V
Gehäuse thermischer Widerstand
3.2K/W
Leistung
39W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
9.1A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)