N-Kanal-Transistor IRFZ34NPBF, TO-220AB, 60V
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N-Kanal-Transistor IRFZ34NPBF, TO-220AB, 60V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFZ34NPBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06
IRFZ34NPBF
16 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
60V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
31 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
700pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
30A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 16A
Einschaltzeit ton [nsec.]
7 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRFZ34NPBF
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
50W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier