N-Kanal-Transistor IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-Kanal-Transistor IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
1.14€
5-24
0.95€
25-49
0.83€
50-99
0.75€
100+
0.64€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 126

N-Kanal-Transistor IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0175 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1470pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 160A. Kanaltyp: N. Kosten): 360pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 63us. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IRFZ44N
29 Parameter
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
49A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0175 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1470pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
160A
Kanaltyp
N
Kosten)
360pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
94W
RoHS
ja
Td(off)
44 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
63us
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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