N-Kanal-Transistor IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V

N-Kanal-Transistor IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
1.27€
5-49
1.05€
50-99
0.88€
100+
0.79€
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N-Kanal-Transistor IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 16.5m Ohms. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1696pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 407pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 67 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13

Technische Dokumentation (PDF)
IRFZ46NL
31 Parameter
ID (T=100°C)
37A
ID (T=25°C)
53A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
16.5m Ohms
Gehäuse
TO-262 ( I2-PAK )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-262
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1696pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
407pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
120W
RoHS
ja
Td(off)
52 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
67 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier