N-Kanal-Transistor IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V. Gehäuse: TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1970pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 64A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRFZ48NPBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 64A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 130W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Maximaler Drainstrom: 64A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:47