N-Kanal-Transistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 980pF. CE-Diode: nein. Funktion: Leistungs-MOSFET-Transistor bis 150 kHz. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 92A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG 4BC30W. Kollektorstrom: 23A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 71pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Td(off): 99 ns. Td(on): 25 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35