N-Kanal-Transistor IRG4PC30KD, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor IRG4PC30KD, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
4.36€
5-9
3.93€
10-24
3.56€
25-49
3.29€
50+
2.88€
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N-Kanal-Transistor IRG4PC30KD, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 920pF. CE-Diode: ja. Funktion: -. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 58A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 28A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 110pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Ultraschneller IGBT-Transistor. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.21V. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PC30KD
28 Parameter
Ic(T=100°C)
16A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
920pF
CE-Diode
ja
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
58A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
28A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Kosten)
110pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.7V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
RoHS
ja
Spec info
Ultraschneller IGBT-Transistor
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.21V
Td(off)
160 ns
Td(on)
60 ns
Trr-Diode (Min.)
42 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier