N-Kanal-Transistor IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V

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8.45€
5-14
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N-Kanal-Transistor IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Ic(T=100°C): 27A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 230 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2200pF. CE-Diode: ja. Einschaltzeit ton [nsec.]: 63 ns. Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40FD. Ic(Impuls): 84A. Kanaltyp: N. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 49A. Kollektorstrom: 49A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 140pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 200A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Td(off): 230 ns. Td(on): 63 ns. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PC40FDPBF
38 Parameter
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AC
Ic(T=100°C)
27A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
230 ns
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2200pF
CE-Diode
ja
Einschaltzeit ton [nsec.]
63 ns
Funktion
Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Herstellerkennzeichnung
IRG4PC40FD
Ic(Impuls)
84A
Kanaltyp
N
Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]
600V
Kollektorstrom Ic [A]
49A
Kollektorstrom
49A
Komponentenfamilie
IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
140pF
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
160W
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
160W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
200A
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.85V
Td(off)
230 ns
Td(on)
63 ns
Trr-Diode (Min.)
42 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier