N-Kanal-Transistor IRG4PH40U, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

N-Kanal-Transistor IRG4PH40U, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Menge
Stückpreis
1-4
6.38€
5-9
6.03€
10-24
5.60€
25-49
5.16€
50+
4.39€
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N-Kanal-Transistor IRG4PH40U, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1800pF. CE-Diode: nein. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 82A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 41A. Kosten): 120pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.1V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.43V. Td(off): 220 ns. Td(on): 24 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PH40U
25 Parameter
Ic(T=100°C)
21A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
1200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1800pF
CE-Diode
nein
Funktion
Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
82A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
41A
Kosten)
120pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
3.1V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
160W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.43V
Td(off)
220 ns
Td(on)
24 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier