N-Kanal-Transistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1220V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2800pF. CE-Diode: ja. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 90A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 45A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 140pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.77V. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35