N-Kanal-Transistor IRGB15B60KD, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V

N-Kanal-Transistor IRGB15B60KD, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V

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N-Kanal-Transistor IRGB15B60KD, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 850pF. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 62A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 31A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 75pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Trr-Diode (Min.): 92 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35

Technische Dokumentation (PDF)
IRGB15B60KD
28 Parameter
Ic(T=100°C)
15A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
850pF
CE-Diode
ja
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
62A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
31A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
75pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.2V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
208W
RoHS
ja
Spec info
Ultrafast Soft Recovery Diode
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Td(off)
184 ns
Td(on)
34 ns
Trr-Diode (Min.)
92 ns
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier