N-Kanal-Transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-Kanal-Transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
3.05€
5-24
2.68€
25-49
2.38€
50-99
2.15€
100+
1.84€
Menge auf Lager: 9

N-Kanal-Transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3700pF. Funktion: Logikebene. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 190A. Kanaltyp: N. Kosten): 630pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Td(off): 49 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:13

Technische Dokumentation (PDF)
IRL2910
25 Parameter
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.026 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
100V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
3700pF
Funktion
Logikebene
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
190A
Kanaltyp
N
Kosten)
630pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Td(off)
49 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier