N-Kanal-Transistor IRL3705NPBF, TO-220AB, 55V
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N-Kanal-Transistor IRL3705NPBF, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 37 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3600pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 89A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Herstellerkennzeichnung: IRL3705N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 170W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06
IRL3705NPBF
16 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
55V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
37 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
3600pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
89A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.01 Ohms @ 46A
Einschaltzeit ton [nsec.]
12 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
2V
Herstellerkennzeichnung
IRL3705N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
170W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier