N-Kanal-Transistor IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

N-Kanal-Transistor IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
2.93€
5-24
2.55€
25-49
2.27€
50+
2.00€
Menge auf Lager: 31

N-Kanal-Transistor IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 470A. Kanaltyp: N. Kosten): 1800pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 120ns. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRL3803S
30 Parameter
ID (T=100°C)
83A
ID (T=25°C)
60.4k Ohms
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.006 Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK ( TO-263 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
5000pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Gate-Steuerung durch Logikpegel
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
470A
Kanaltyp
N
Kosten)
1800pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Td(off)
29 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
120ns
Vgs(th) max.
1V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier