N-Kanal-Transistor IRLD024, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): HVMDIP ( DIP-4 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 870pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schnell schaltender Gate-Antrieb auf Logikebene. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kosten): 360pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Verschiedenes: Dynamic dv/dt Rating. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38