N-Kanal-Transistor IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

N-Kanal-Transistor IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.33€
5-49
0.24€
50-99
0.22€
100+
0.19€
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N-Kanal-Transistor IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 85pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 7.3A. Kanaltyp: N. Kosten): 34pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 540mW. RoHS: ja. Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLML2803
29 Parameter
ID (T=100°C)
0.93A
ID (T=25°C)
1.2A
IDSS (max)
25uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.025 Ohms
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
85pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
7.3A
Kanaltyp
N
Kosten)
34pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
540mW
RoHS
ja
Td(off)
9 ns
Td(on)
3.9 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
26 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier