N-Kanal-Transistor IRLML2803PBF, SOT-23, 30 v

N-Kanal-Transistor IRLML2803PBF, SOT-23, 30 v

Menge
Stückpreis
1-24
0.53€
25-99
0.38€
100-499
0.33€
500+
0.30€
Menge auf Lager: 124

N-Kanal-Transistor IRLML2803PBF, SOT-23, 30 v. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 85pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 1.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.9 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: B. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLML2803PBF
16 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds [V]
30 v
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
9 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
85pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
1.2A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.25 Ohms @ 0.91A
Einschaltzeit ton [nsec.]
3.9 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3V
Herstellerkennzeichnung
B
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.54W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier