N-Kanal-Transistor IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-Kanal-Transistor IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Menge
Stückpreis
1-4
1.00€
5-24
0.82€
25-49
0.72€
50-99
0.65€
100+
0.55€
Menge auf Lager: 15

N-Kanal-Transistor IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 880pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Spec info: niedriger Widerstand R-on 0,040 Ohm. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRLR2705
33 Parameter
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
28A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.04 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
880pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
75
Kosten)
220pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
68W
RoHS
ja
Spec info
niedriger Widerstand R-on 0,040 Ohm
Td(off)
21 ns
Td(on)
8.9 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
76 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier