N-Kanal-Transistor IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 16.7nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 880pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 55V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 2.7K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 220pF. Leistung: 56W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 27A. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:38