N-Kanal-Transistor IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Aufladung: 32nC. Drain-Source-Spannung: 55V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Gate-Source-Spannung: 16V, ±16V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.8K/W. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kontrolle: Logikebene. Leistung: 83W. Maximaler Drainstrom: 41A. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: nein. Strömung abfließen: 41A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:39