N-Kanal-Transistor IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 1.5mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.19 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 12pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 12000pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 44A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Funktion: Enhancement Mode, Avalanche Rated. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: IXFK44N80P. IDss (min): 50uA. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 910pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1200W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1200W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11