N-Kanal-Transistor IXFX34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch), 800V

N-Kanal-Transistor IXFX34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch), 800V

Menge
Stückpreis
1-4
29.90€
5-9
28.75€
10-24
26.28€
25+
24.58€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor IXFX34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch), 800V. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 2mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.24 Ohms. Gehäuse: PLUS247. Gehäuse (laut Datenblatt): PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch). Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 7500pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: -. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 136A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 920pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 560W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IXFX34N80
30 Parameter
ID (T=25°C)
34A
IDSS (max)
2mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.24 Ohms
Gehäuse
PLUS247
Gehäuse (laut Datenblatt)
PLUS-247 (TO247 ohne Befestigungsloch)
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
7500pF
Drain-Source-Schutz
Diode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
136A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
920pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
560W
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(off)
100 ns
Td(on)
45 ns
Technologie
HiPerFet Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
250 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS

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