N-Kanal-Transistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2770pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 2uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Kosten): 420pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11