N-Kanal-Transistor J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V
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1-4
0.45€
5-24
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50-99
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100+
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N-Kanal-Transistor J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Gehäuse: TO-92. IDSS (max): 5mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 Ammo-Pak. Spannung Vds(max): 35V. Ausflugsstrom: 50mA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 28pF. Funktion: Up 4.5V. Gate-Source-Spannung: -35V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. IGF: 50mA. Kanaltyp: N. Kosten): 5pF. Leistung: 350mW. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 5mA. Transistortyp: N-JFET. Verpackung: -. Widerstand auf den Staat: 50 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11
J112
24 Parameter
Gehäuse
TO-92
IDSS (max)
5mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92 Ammo-Pak
Spannung Vds(max)
35V
Ausflugsstrom
50mA
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
28pF
Funktion
Up 4.5V
Gate-Source-Spannung
-35V
Gate/Source-Spannung (aus) max.
5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
1V
IGF
50mA
Kanaltyp
N
Kosten)
5pF
Leistung
350mW
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
5mA
Transistortyp
N-JFET
Widerstand auf den Staat
50 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild