N-Kanal-Transistor MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: +55...+150°C. C(in): 780pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 38W. RoHS: ja. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 272 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Magnachip Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30