N-Kanal-Transistor MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-Kanal-Transistor MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
4.58€
5-9
4.11€
10-24
3.80€
25-49
3.58€
50+
3.25€
Menge auf Lager: 34

N-Kanal-Transistor MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 890pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: PFC-Stromversorgungsstufen, Schaltanwendungen, Motorsteuerung, DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60R360P. Kosten): 670pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 31W. RoHS: ja. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 375 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Magnachip Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MMF60R360PTH
30 Parameter
ID (T=100°C)
6.95A
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
1uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.32 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
890pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
PFC-Stromversorgungsstufen, Schaltanwendungen, Motorsteuerung, DC/DC-Wandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
33A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
60R360P
Kosten)
670pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
31W
RoHS
ja
Td(off)
80 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
N-channel POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
375 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Magnachip Semiconductor