N-Kanal-Transistor NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-Kanal-Transistor NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.83€
5-24
1.60€
25-49
1.44€
50-99
1.33€
100+
1.17€
Menge auf Lager: 32

N-Kanal-Transistor NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4490pF. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4804NG. IDss (min): 1uA. Id(imp): 230A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4804NG. Kosten): 952pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 107W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 230A. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
NTD4804NT4G
32 Parameter
ID (T=100°C)
96A
ID (T=25°C)
124A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.4M Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
4490pF
Drain-Source-Schutz
Diode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code 4804NG
IDss (min)
1uA
Id(imp)
230A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
4804NG
Kosten)
952pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
107W
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 230A
Td(off)
24 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
34 ns
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor