N-Kanal-Transistor NTMFS4835NT1G, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 104A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.9m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8FL. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: ID pulse 208A/10ms. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4835N. Id(imp): 208A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4835N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 63W. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30