N-Kanal-Transistor P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

N-Kanal-Transistor P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Menge
Stückpreis
1-4
1.46€
5-49
1.21€
50-99
1.02€
100+
0.92€
Menge auf Lager: 363

N-Kanal-Transistor P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 75A. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 5000pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. G-S-Schutz: nein. Id(imp): 170A. Kanaltyp: N. Kosten): 1800pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Niko-semi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
P75N02LD
26 Parameter
ID (T=100°C)
50A
ID (T=25°C)
75A
IDSS
25uA
IDSS (max)
75A
Einschaltwiderstand Rds On
5M Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( D-PAK )
Spannung Vds(max)
20V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
5000pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Logikpegel-Verbesserungsmodus
G-S-Schutz
nein
Id(imp)
170A
Kanaltyp
N
Kosten)
1800pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
60W
RoHS
ja
Td(off)
24 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
Feldeffekttransistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
37 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Niko-semi