N-Kanal-Transistor PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Spannung Vds(max): 25V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 920pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Feldeffekt-Leistungstransistor, Steuerung des Logikpegels. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kosten): 260pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 86W. RoHS: ja. Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30