N-Kanal-Transistor PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4900pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 390pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30