N-Kanal-Transistor RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+155°C. C(in): 900pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F12N10L. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 325pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30