N-Kanal-Transistor RJH30H2DPK-M0, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1200pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 250A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 35A. Kompatibilität: Samsung PS42C450B1WXXU. Kosten): 80pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Renesas Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35