N-Kanal-Transistor RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

N-Kanal-Transistor RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.74€
5-49
0.59€
50-99
0.49€
100+
0.42€
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N-Kanal-Transistor RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. IDSS (max): 115mA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 60V. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 25pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schnittstelle und Vermittlung. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 0.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RKM. Kosten): 10pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
RK7002
27 Parameter
ID (T=25°C)
115mA
IDSS (max)
115mA
Einschaltwiderstand Rds On
7.5 Ohms
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23
Spannung Vds(max)
60V
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
25pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schnittstelle und Vermittlung
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
0.8A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
RKM
Kosten)
10pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.2W
RoHS
ja
Td(off)
20 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
Silicon N-channel MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM

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