N-Kanal-Transistor RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

N-Kanal-Transistor RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

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N-Kanal-Transistor RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 1830pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler, Wechselrichter. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 35A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TB. Kosten): 410pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
RSS095N05
27 Parameter
ID (T=25°C)
9.5A
IDSS (max)
1uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.011 Ohms
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
45V
Anzahl der Terminals
8:1
C(in)
1830pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler, Wechselrichter
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
35A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
TB
Kosten)
410pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2W
RoHS
ja
Td(off)
78 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM