N-Kanal-Transistor RSS100N03, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0125 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. Technologie: 4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30