N-Kanal-Transistor SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1970pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 90A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60RUFD. Kollektorstrom: 48A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 310pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40