N-Kanal-Transistor SI4410BDY, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v
Menge
Stückpreis
1-4
0.81€
5-49
0.64€
50-99
0.54€
100+
0.48€
| Menge auf Lager: 2066 |
N-Kanal-Transistor SI4410BDY, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Technologie: D-S-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30
SI4410BDY
16 Parameter
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
10A
Einschaltwiderstand Rds On
0.013 Ohms
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.5W
Technologie
D-S-MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay