N-Kanal-Transistor SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0155 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schnell schaltender Leistungs-MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40Ap. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800B. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30