N-Kanal-Transistor SPB80N04S2-H4, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4480pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Erweiterungsmodus. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N04H4. Kosten): 1580pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 195 ns. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30