N-Kanal-Transistor SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V
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N-Kanal-Transistor SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO220-3-1. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 600V. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 62.1A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60C3. Konditionierung: tubus. Kosten): 780pF. Leistung: 208W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 20.7A. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54