N-Kanal-Transistor SPW17N80C3, 800V, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse: TO-247. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2320pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 51A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Kosten): 1250pF. Leistung: 208W. Maximaler Drainstrom: 17A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54