N-Kanal-Transistor STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 550V. Anzahl der Terminals: 2. C(in): 850pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B12NM50ND. Kosten): 48pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (mit schneller Diode). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 122 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54