N-Kanal-Transistor STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 485pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D3NK80Z. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Kosten): 57pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54