N-Kanal-Transistor STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

N-Kanal-Transistor STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Menge
Stückpreis
1-4
52.70€
5-9
49.15€
10-19
47.18€
20-39
45.25€
40+
41.17€
Menge auf Lager: 14

N-Kanal-Transistor STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 53A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). Spannung Vds(max): 500V. Betriebstemperatur: -65...150°C. Drain-Source-Schutz: ja. Elektrische Isolierung: 2500V (AC-RMS). Funktion: SMPS POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: ±30V. Id(imp): 212A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 460W. Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (Typ): 38 ns. Tr: 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
STE53NC50
23 Parameter
ID (T=100°C)
33A
ID (T=25°C)
53A
IDSS (max)
53A
Einschaltwiderstand Rds On
0.07 Ohms
Gehäuse
ISOTOP ( SOT227B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOTOP ( SOT227B )
Spannung Vds(max)
500V
Betriebstemperatur
-65...150°C
Drain-Source-Schutz
ja
Elektrische Isolierung
2500V (AC-RMS)
Funktion
SMPS POWER MOSFET
Gate/Source-Spannung Vgs
±30V
Id(imp)
212A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
460W
Td(on)
46 ns
Technologie
PowerMesh II MOSFET
Tf (Typ)
38 ns
Tr
70 ns
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics