N-Kanal-Transistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.63 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 452pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1mA. Id(imp): 26A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9NM60N. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 26A. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 324 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54