N-Kanal-Transistor STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

N-Kanal-Transistor STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
5.78€
5-14
5.11€
15-29
4.73€
30+
4.37€
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N-Kanal-Transistor STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2200pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochfrequenz-Wechselrichter, USV. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 150A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW20NC60VD. Kollektorstrom: 60A. Kosten): 225pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Td(off): 100 ns. Td(on): 31 ns. Trr-Diode (Min.): 44 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40

Technische Dokumentation (PDF)
STGW20NC60VD
28 Parameter
Ic(T=100°C)
30A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2200pF
CE-Diode
ja
Funktion
Hochfrequenz-Wechselrichter, USV
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3.75V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5.75V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
150A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
GW20NC60VD
Kollektorstrom
60A
Kosten)
225pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.5V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
RoHS
ja
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.8V
Td(off)
100 ns
Td(on)
31 ns
Trr-Diode (Min.)
44 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics