N-Kanal-Transistor STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

N-Kanal-Transistor STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
0.82€
5-24
0.68€
25-49
0.59€
50-99
0.54€
100+
0.46€
Menge auf Lager: 141

N-Kanal-Transistor STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 200V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 150pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 4A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4NF20L. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3.3W. RoHS: ja. Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STN4NF20L
25 Parameter
ID (T=100°C)
630mA
ID (T=25°C)
1A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.1 Ohms
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Spannung Vds(max)
200V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
150pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
4A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
4NF20L
Kosten)
30pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
3.3W
RoHS
ja
Td(off)
10.4 ns
Td(on)
2 ns
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics