N-Kanal-Transistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 80V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5955pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): -. Id(imp): 400A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 100N8F6. Kosten): 244pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 176W. RoHS: ja. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 38 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24