N-Kanal-Transistor STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1370pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 600V. Eigenschaften des Halbleiters: ESD-geschützt. Funktion: Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Gate-Source-Spannung: ±30V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK60Z. Konditionierung: tubus. Kosten): 156pF. Leistung: 115W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 5.7A. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24